近十幾年來(lái),紅外成像技術(shù)作為現(xiàn)代高技術(shù)已在武器裝備中得到廣泛應(yīng)用。陸軍主要將其用于夜間監(jiān)視、瞄準(zhǔn)、偵察、射擊指揮、制導(dǎo)和防空等;海軍主要將其用于監(jiān)視、巡邏、觀察和導(dǎo)彈跟蹤等;空軍主要將其用于轟炸機(jī)、偵察機(jī)和攻擊機(jī)等的導(dǎo)航、著陸、營(yíng)救、空中偵察、高空攝影和射擊投彈等。從空間到地面,從水下到空中,紅外成像儀已成為現(xiàn)代高技術(shù)常規(guī)兵器裝備中不可缺少的重要部分。

1. 紅外成像制導(dǎo)：不可替代的制導(dǎo)方式

紅外輻射是自然界存在最為廣泛的電磁波輻射，它是基于任何物體在常規(guī)環(huán)境下都會(huì)產(chǎn)生自身的分子和原子無(wú)規(guī)則的運(yùn)動(dòng)，并不停地輻射出熱紅外能量，分子和原子的運(yùn)動(dòng)越劇烈，輻射的能量越大，反之輻射的能量越小。溫度在絕對(duì)零度以上的物體，都會(huì)因自身的分子運(yùn)動(dòng)而輻射出紅外線。

1.1 紅外制導(dǎo)技術(shù)的發(fā)展歷程

紅外制導(dǎo)技術(shù)的發(fā)展主要由戰(zhàn)爭(zhēng)發(fā)展需要和科學(xué)技術(shù)發(fā)展的推動(dòng)。

作戰(zhàn)需求的牽引方面，紅外制導(dǎo)技術(shù)是一種被動(dòng)制導(dǎo)技術(shù)，使導(dǎo)彈具有“發(fā)射后不管”的作戰(zhàn)能力。因此，首先發(fā)展的紅外非成像制導(dǎo)技術(shù)很快在空－空、地－空等導(dǎo)彈中獲得應(yīng)用，并在越南戰(zhàn)爭(zhēng)等作戰(zhàn)應(yīng)用中取得巨大的成功。根據(jù)《紅外探測(cè)系統(tǒng)在反巡航導(dǎo)彈中的應(yīng)用》中的數(shù)據(jù)顯示，1979～1985年期間，作戰(zhàn)飛機(jī)損失數(shù)目超過(guò)160架，其中90%是被紅外制導(dǎo)導(dǎo)彈擊中。在1973～1997期間，遭受各種武器系統(tǒng)攻擊而損失的飛機(jī)共有1434架，其中738架是紅外制導(dǎo)導(dǎo)彈的犧牲品，所占比例為51.5%。

紅外制導(dǎo)導(dǎo)彈的成功應(yīng)用和良好的作戰(zhàn)效果刺激了紅外技術(shù)的發(fā)展。紅外曳光彈、紅外干擾機(jī)等各種紅外對(duì)抗手段的相繼出現(xiàn)，大大削弱了紅外非成像制導(dǎo)導(dǎo)彈的作戰(zhàn)效能。因此，現(xiàn)代戰(zhàn)爭(zhēng)中迫切需要具有一定目標(biāo)識(shí)別能力，可以對(duì)抗紅外干擾的制導(dǎo)手段。利用紅外熱成像技術(shù)獲取目標(biāo)的圖像，就可以有效地分辨目標(biāo)和誘餌，提高導(dǎo)彈的抗干擾能力。因此，作為紅外對(duì)抗的手段之一，在作戰(zhàn)需求推動(dòng)下紅外成像制導(dǎo)技術(shù)得到迅速地發(fā)展和推廣應(yīng)用。

紅外制導(dǎo)技術(shù)真正的發(fā)展得益于紅外熱成像技術(shù)、小型制冷器技術(shù)、圖像處理技術(shù)、微電子技術(shù)等的發(fā)展。70年代中期以后，由于先后出現(xiàn)了碲鎘汞，銻化銦，鉑化硅等線列器件和焦平面陣列器件，紅外光機(jī)掃描和凝視陣列技術(shù)，紅外成像制導(dǎo)技術(shù)逐漸變成了可行的方案。特別是隨著元器件技術(shù)和計(jì)算技術(shù)的飛速發(fā)展，在近30多年來(lái)紅外探測(cè)器經(jīng)過(guò)了從簡(jiǎn)單的單元探測(cè)器發(fā)展到一代的線陣探測(cè)器、小面陣探測(cè)器，又發(fā)展到二代的焦平面陣列探測(cè)器，并進(jìn)一步向三代靈巧焦平面陣列探測(cè)器的發(fā)展歷程。

紅外制導(dǎo)技術(shù)目前可劃分為三個(gè)發(fā)展階段。

第一階段為20世紀(jì)60年代中期以前為第一階段，這一時(shí)期，紅外制導(dǎo)武器主要用于攻擊空中速度較慢的飛機(jī)。其探測(cè)器采用不制冷的硫化鉛，信息處理系統(tǒng)為單元調(diào)制盤式調(diào)幅系統(tǒng)，工作波段在1-3μm，其特點(diǎn)是靈敏度低、抗干擾能力差、跟蹤角速度低。

第二階段為20世紀(jì)60年代中期至70年代。60年代中期以后，由于飛機(jī)速度和機(jī)動(dòng)能力都大為提高，再加上被攻擊目標(biāo)對(duì)紅外誘餌的使用，使得第一代紅外制導(dǎo)武器的作戰(zhàn)效能明顯下降。為此，一種改進(jìn)的措施是，探測(cè)器采用了制冷的硫化鉛或銻化銦，從而極大地提高了靈敏度；更為根本的改進(jìn)是采用了工作波段在3-5μm的中紅外波段，改進(jìn)了調(diào)制盤和信號(hào)處理電路，提高了跟蹤速度和抗干擾能力，增大了對(duì)飛機(jī)的攻擊角，以至能夠在整個(gè)后半球內(nèi)實(shí)施攻擊。這一階段制導(dǎo)武器的作戰(zhàn)性能得到了較大的提高，雖然還是只能進(jìn)行尾追攻擊，但攻擊區(qū)域和對(duì)付高速目標(biāo)的能力有很大提高。

第一代和第二代紅外制導(dǎo)技術(shù)都是采用非成像制導(dǎo)系統(tǒng)。都是把被攻擊的目標(biāo)視為點(diǎn)源，用調(diào)制盤或者圓錐掃瞄、章動(dòng)掃瞄等方式，對(duì)原信號(hào)進(jìn)行相位、頻率、幅度、脈寬等調(diào)制，以獲得目標(biāo)的方位信息。這種系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、造價(jià)低、分率高、有使用方便、不依賴于復(fù)雜的火控系統(tǒng)等許多優(yōu)點(diǎn)，但這種系統(tǒng)對(duì)存在強(qiáng)輻射紅外干擾的環(huán)境，特別是對(duì)于攻擊復(fù)雜紅外背景的地面坦克、裝甲目標(biāo)，則效果十分乏力。

第三階段為20世紀(jì)70年代中期以后。在70年代中期以后，由于工作在8-14μm波段長(zhǎng)的長(zhǎng)波探測(cè)元件研制成功，特別是高性能的CMT線列陣紅外器件的工程應(yīng)用和紅外成像技術(shù)的日趨成熟。紅外探測(cè)器采用了高靈敏度的制冷銻化銦，并且改變了以往的光信號(hào)的調(diào)制方式，多采用了圓錐掃描和玫瑰線掃描，亦有非調(diào)制盤式的多元脈沖調(diào)制系統(tǒng)，具有探測(cè)距離遠(yuǎn)，探測(cè)范圍大、跟蹤角速度高等特點(diǎn)，有的還具有自動(dòng)搜索和自動(dòng)截獲目標(biāo)的能力。在這一時(shí)期紅外制導(dǎo)技術(shù)產(chǎn)生了一個(gè)大的飛躍。因此，這一階段的紅外制導(dǎo)武器可進(jìn)行全向攻擊和對(duì)付機(jī)動(dòng)目標(biāo)。這一階段也標(biāo)志著紅外制導(dǎo)由紅外點(diǎn)源制導(dǎo)發(fā)展到了紅外成像制導(dǎo)。

此外紅外熱成像制導(dǎo)技術(shù)也經(jīng)歷了三代的發(fā)展。70年代發(fā)展起來(lái)的第一代紅外成像制導(dǎo)技術(shù)的主要標(biāo)志是，采用紅外探測(cè)器線陣或小面陣以及光機(jī)掃描方法獲取目標(biāo)圖像。80年代末期開始發(fā)展的第二代紅外成像制導(dǎo)的主要標(biāo)志是，采用了紅外焦平面陣列探測(cè)器以及電子掃描或凝視成像方式。

目前正在發(fā)展的雙色紅外焦平面陣列和靈巧焦平面陣列探測(cè)器及其在紅外成像導(dǎo)引頭中的應(yīng)用，將進(jìn)一步提高紅外成像制導(dǎo)導(dǎo)彈的抗干擾和目標(biāo)識(shí)別能力，與先進(jìn)的圖像信息處理技術(shù)相結(jié)合，甚至有可能實(shí)現(xiàn)導(dǎo)彈的自主攻擊。同時(shí)非制冷紅外焦平面陣列的出現(xiàn)和在制導(dǎo)中的推廣應(yīng)用，將有助于簡(jiǎn)化導(dǎo)引頭的設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)，有助于降低導(dǎo)引頭的成本。

綜合來(lái)看，紅外制導(dǎo)技術(shù)的發(fā)展集中在四個(gè)方面：

1、 在探測(cè)波段的發(fā)展上，經(jīng)歷了從近紅外波段探測(cè)(1～3μm)到中遠(yuǎn)紅外波段探測(cè)(3～5μm，8～14μm)；

2、 在探測(cè)器類型上，經(jīng)歷了從非制冷硫化鉛探測(cè)器、制冷硫化鉛/銻化銦探測(cè)器到制冷/非制冷焦平面成像探測(cè)器；

3、 在探測(cè)體制上，經(jīng)歷了從光機(jī)掃描到凝視焦平面探測(cè)的發(fā)展，從“點(diǎn)源”探測(cè)到“成像”探測(cè)的發(fā)展過(guò)程。

1.2 紅外成像制導(dǎo)的工作機(jī)理與優(yōu)勢(shì)

紅外成像制導(dǎo)技術(shù)是利用紅外成像導(dǎo)引頭接收目標(biāo)場(chǎng)景的紅外輻射，形成目標(biāo)場(chǎng)景的二維溫度分布圖像，并利用目標(biāo)和背景紅外輻射特性的差異，識(shí)別、捕獲、跟蹤目標(biāo)，將制導(dǎo)武器導(dǎo)向目標(biāo)的技術(shù)。

實(shí)現(xiàn)紅外成像制導(dǎo)的核心部件是紅外成像導(dǎo)引頭。紅外成像導(dǎo)引頭主要由紅外成像系統(tǒng)、紅外圖像視頻信號(hào)處理系統(tǒng)、伺服跟蹤系統(tǒng)組成。紅外成像系統(tǒng)用來(lái)攝取目標(biāo)場(chǎng)景的圖像，將二維分布的場(chǎng)景紅外輻射轉(zhuǎn)變成一維時(shí)序視頻信號(hào)。視頻信號(hào)處理系統(tǒng)將紅外成像系統(tǒng)輸出的視頻信號(hào)進(jìn)行放大處理，完成目標(biāo)識(shí)別，并給出不斷修正的目標(biāo)位置信息，輸出到伺服跟蹤系統(tǒng)，以驅(qū)動(dòng)紅外成像系統(tǒng)保持對(duì)目標(biāo)的跟蹤，同時(shí)輸出給導(dǎo)彈自動(dòng)駕駛儀，以使導(dǎo)彈保持正確的飛行路線，直至命中目標(biāo)。

紅外熱像儀有多種分類方式，按照工作機(jī)理可以分為基于熱效應(yīng)的熱探測(cè)器和基于光電效應(yīng)的光子探測(cè)器。一般來(lái)說(shuō)，光子探測(cè)器需要制冷，探測(cè)響應(yīng)率高，而熱探測(cè)器則不需要制冷，成本相對(duì)較低。

在非制冷探測(cè)器中，熱敏電阻型探測(cè)器最為常見(jiàn)，其中熱敏材料可分為氧化釩（VOx）和非晶硅（α-Si）兩類。氧化釩的研究使用歷史較長(zhǎng)，20世紀(jì)80年代初，美國(guó)的Honeywell公司在軍方資助下開始研究氧化釩薄膜，并于20世紀(jì)80年代末研制出非制冷氧化釩微測(cè)輻射熱計(jì)，其制備技術(shù)經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展已很成熟，在微測(cè)輻射熱計(jì)產(chǎn)品中得到了廣泛的應(yīng)用。非晶硅則是1992年法國(guó)原子能委員會(huì)與信息技術(shù)實(shí)驗(yàn)室/紅外實(shí)驗(yàn)室研發(fā)的探測(cè)器熱敏材料，目前技術(shù)上也已非常成熟。

氧化釩和非晶硅作為兩種最常用的熱敏材料，兩者的共同點(diǎn)為：

1、薄膜類型相同：兩者都是半導(dǎo)體熱敏薄膜，薄膜電阻溫度系數(shù)TCR與電阻率成正比關(guān)系；

2、生產(chǎn)工藝基本相同：微測(cè)輻射熱計(jì)技術(shù)與CMOS工藝兼容，能夠與CMOS讀出電路集成，可基于半導(dǎo)體制造工藝進(jìn)行規(guī)?；a(chǎn)，是非制冷紅外探測(cè)器的主要技術(shù)。

具體的性能、工藝等方面兩者有各自的優(yōu)勢(shì)：

l 噪聲等效溫差（NETD）方面：即熱靈敏度，NETD越小則紅外熱像像圖更清晰，分辨率更高。由于非晶硅是無(wú)定形結(jié)構(gòu)，呈現(xiàn)的1/f噪聲比VOx要高，所以NETD通常不如VOx材料，其中兩者的NETD差距在5-10mK，非晶硅在40-50mk，氧化釩大約為30-40mk。在溫度的區(qū)分度上氧化釩能夠識(shí)別0.03℃，而非晶硅為0.1℃，視覺(jué)上的直觀體現(xiàn)為非晶硅相較氧化釩圖像略有蒙紗感。

l 成本方面：非晶硅探測(cè)器的制造成本更低，主要是因?yàn)閺牟牧虾凸に嚿峡捶蔷Ч璧暮蛡鹘y(tǒng)集成電路制造更加契合。硅為半導(dǎo)體制造中的常用材料，生產(chǎn)制備的工藝相對(duì)更成熟，而氧化釩非半導(dǎo)體工藝中的常用材料，且非常怕沾污，生產(chǎn)過(guò)程中需要額外的專用設(shè)備才可完成生產(chǎn)。

l 穩(wěn)定性方面：兩者穩(wěn)定性的差距主要體現(xiàn)在晶圓級(jí)封裝上，由于非晶硅的穩(wěn)定范圍在450℃以下，而氧化釩的穩(wěn)定溫度在300℃以下，因此晶圓級(jí)封裝時(shí)氧化釩的溫度窗口更小，同時(shí)由于氧化釩具有多種形態(tài)，如VO2和V2O5。所以在氧化釩探測(cè)器是制造過(guò)程中需要通過(guò)調(diào)整工藝來(lái)獲得單一形態(tài)的氧化釩材料，導(dǎo)致制造工藝上更加復(fù)雜。

l 面陣方面：目前非晶硅更容易做到大面陣。主要原因?yàn)樵?/span>PECVD工藝下非晶硅的均勻性更好，制造過(guò)程中非晶硅在電阻阻值和溫敏性上有更好表現(xiàn)，所以在校正環(huán)節(jié)工作量小，成品率更高，更容易將面陣做大。相比之下氧化釩則需要大量的校正工作，一定程度上阻礙了氧化釩探測(cè)器的大面陣發(fā)展。

l 響應(yīng)時(shí)間方面：非晶硅的熱響應(yīng)時(shí)間更短。非晶硅材料可以將薄膜厚度控制的非常小，具有較低的熱容，所以在保持較低熱響應(yīng)時(shí)間的同時(shí)也具有較小的熱導(dǎo)，可一定程度兼顧圖像刷新率和信號(hào)響應(yīng)率的要求，目前非晶硅的熱響應(yīng)時(shí)間常數(shù)為7ms左右，而氧化礬一般在10ms左右，因此非晶硅探測(cè)器的幀頻要高于氧化釩。

紅外成像制導(dǎo)使用的探測(cè)器大都為制冷型紅外探測(cè)器，這主要是由制冷紅外探測(cè)器的超強(qiáng)性能以及戰(zhàn)場(chǎng)環(huán)境所決定的。在探測(cè)器溫度較低時(shí)（制冷探測(cè)器通常需要將溫度降低到77K才能正常使用），制冷探測(cè)器（光子探測(cè)器）的探測(cè)效率明顯高于熱探測(cè)器，制冷型目前也是公認(rèn)的實(shí)際應(yīng)用中最佳的紅外探測(cè)技術(shù)。目前非制冷探測(cè)器在導(dǎo)引頭中的應(yīng)用主要以作用距離較短的反坦克彈、小直徑炸彈為主，其探測(cè)的目標(biāo)普遍具有低速、低空的特性。

紅外熱成像制導(dǎo)具有多種優(yōu)勢(shì)。其主要優(yōu)勢(shì)有靈敏度高、導(dǎo)引精度高、抗干擾能力強(qiáng)、可實(shí)現(xiàn)“發(fā)射后不管”、具備準(zhǔn)全天候功能以及強(qiáng)適應(yīng)性等優(yōu)勢(shì)。這些優(yōu)勢(shì)使得紅外成像制導(dǎo)自誕生以來(lái)一直是精確制導(dǎo)導(dǎo)彈家族中的寵兒，根據(jù)《淺析美國(guó)精確對(duì)地打擊武器配系及作戰(zhàn)使用》數(shù)據(jù)，海灣戰(zhàn)爭(zhēng)中，多國(guó)部隊(duì)的飛機(jī)共發(fā)射了5000余枚“小?！笔娇諏?duì)地導(dǎo)彈，大約2/3是紅外成像型制導(dǎo)的AGM-65D，取得了顯赫的戰(zhàn)果。

大氣中存在著三個(gè)紅外“窗口”：1～3μm（短波紅外）、3～5μm（中波紅外）和8～14μm（長(zhǎng)波紅外）。在這三個(gè)波段工作的紅外探測(cè)器敏感絕對(duì)溫度的峰值分別為1000K、500K和300K。制導(dǎo)武器所要攻擊的軍事目標(biāo)的紅外輻射溫度分別為：飛機(jī)渦輪發(fā)動(dòng)機(jī)尾焰約1000K；加熱的飛行器的表面溫度可能是在300～400K；行進(jìn)中的坦克溫度可能在400K以上；而靜止的坦克溫度約為300K，與它所在的環(huán)境溫度相差不大。故可根據(jù)不同的場(chǎng)景選擇不同波段的紅外探測(cè)器進(jìn)行制導(dǎo)。

因紅外成像制導(dǎo)諸多的優(yōu)點(diǎn)，其在空-地導(dǎo)彈、近程空-空導(dǎo)彈、反艦導(dǎo)彈、巡航導(dǎo)彈、彈道導(dǎo)彈中得到廣泛應(yīng)用，也大量用于反坦克導(dǎo)彈、多用途導(dǎo)彈、制導(dǎo)炮彈的改進(jìn)與研制中。而作為紅外成像制導(dǎo)技術(shù)核心的紅外成像導(dǎo)引頭，目前主要采用制冷型的碲鎘汞、銻化銦線陣、小面陣、焦平面陣列探測(cè)器。為了獲得了較大的視場(chǎng)，雖然個(gè)別采用了硅化鉑640×480焦平面陣列探測(cè)器。但成本目前仍然是采用紅外焦平面陣列成像導(dǎo)引頭的重要制約因素。射程在20km以內(nèi)的近程導(dǎo)彈多采用焦－湯制冷器對(duì)焦平面陣列探測(cè)器制冷，遠(yuǎn)程空-地導(dǎo)彈、巡航導(dǎo)彈等則采用整體式斯特林制冷器。

1.3 紅外制導(dǎo)技術(shù)未來(lái)發(fā)展方向

進(jìn)入21世紀(jì)以后，對(duì)紅外成像制導(dǎo)技術(shù)的要求作出了大的調(diào)整。未來(lái)戰(zhàn)爭(zhēng)要求制導(dǎo)武器能夠在復(fù)雜地理環(huán)境、復(fù)雜氣象環(huán)境和復(fù)雜電磁環(huán)境下有效作戰(zhàn)，因此可以預(yù)見(jiàn)，在未來(lái)的武器型號(hào)研制進(jìn)程中，紅外成像制導(dǎo)技術(shù)還將會(huì)發(fā)生很大的變革，隨之帶來(lái)的是組成紅外成像導(dǎo)引頭的各單元技術(shù)的變革，以及包括仿真、測(cè)試等總體技術(shù)的發(fā)展。目前來(lái)看，紅外成像制導(dǎo)的主要發(fā)展趨勢(shì)有：智能化、非制冷、復(fù)合化和多用途等。

（1）智能化：未來(lái)紅外成像制導(dǎo)導(dǎo)引頭需要具備多任務(wù)、集群協(xié)同作戰(zhàn)能力以及實(shí)時(shí)任務(wù)裝訂功能。多任務(wù)是指導(dǎo)引頭具備跟蹤多種目標(biāo)的能力；集群協(xié)同作戰(zhàn)是指在使用多種／枚制導(dǎo)彈藥進(jìn)行集群攻擊時(shí)，導(dǎo)引頭具有戰(zhàn)場(chǎng)態(tài)勢(shì)感知并根據(jù)戰(zhàn)場(chǎng)態(tài)勢(shì)調(diào)整攻擊任務(wù)和自動(dòng)任務(wù)分配的能力：實(shí)時(shí)任務(wù)裝訂功能則是指導(dǎo)彈發(fā)射后可通過(guò)導(dǎo)彈與載機(jī)之間的數(shù)據(jù)鏈實(shí)時(shí)為導(dǎo)引頭裝訂任務(wù)數(shù)據(jù)，一方面可以縮短導(dǎo)彈發(fā)射前的準(zhǔn)備時(shí)間，另一方面飛行員可以根據(jù)戰(zhàn)場(chǎng)態(tài)勢(shì)臨時(shí)更改導(dǎo)彈的任務(wù)使命。

（2）非制冷：非制冷紅外焦平面陣列凝視成像制導(dǎo)是未來(lái)的一個(gè)重要發(fā)展方向。非制冷型紅外探測(cè)器已開始在成像紅外導(dǎo)引頭中應(yīng)用。由于其使紅外成像系統(tǒng)擺脫了制冷器，有助于成像紅外導(dǎo)引頭的小型化和低成本，因此已經(jīng)受到普遍的關(guān)注。隨著非制冷型紅外探測(cè)器的發(fā)展，其探測(cè)靈敏度會(huì)不斷提高，將能充分滿足紅外成像導(dǎo)引頭的使用要求；而且成本將進(jìn)一步降低，更加適合在一次性使用的導(dǎo)彈和制導(dǎo)彈藥中應(yīng)用。因此，可以預(yù)料非制冷的紅外成像導(dǎo)引頭將會(huì)得到更加廣泛的應(yīng)用，非制冷紅外成像制導(dǎo)是一個(gè)重要發(fā)展方向。

（3）復(fù)合化：隨著戰(zhàn)場(chǎng)環(huán)境的日益復(fù)雜化，以及對(duì)抗技術(shù)、隱身技術(shù)等的飛速發(fā)展，要求制導(dǎo)武器具有更高的在惡劣的氣候條件下和復(fù)雜的戰(zhàn)場(chǎng)環(huán)境中的目標(biāo)識(shí)別能力、抗干擾能力、“發(fā)射后不管”的自主作戰(zhàn)能力等。因此，單一的制導(dǎo)模式已不能完全適應(yīng)未來(lái)作戰(zhàn)的要求，大力發(fā)展多模/復(fù)合制導(dǎo)技術(shù)勢(shì)在必行。紅外成像制導(dǎo)已成為復(fù)合/多模制導(dǎo)模式中的一個(gè)重要模式。紅外成像/毫米波、紅外成像/雷達(dá)、紅外成像/紫外、紅外成像/激光、紅外成像/激光/毫米波雷達(dá)等雙?；蛉?dǎo)引模式，以及紅外成像＋中段制導(dǎo)的復(fù)合制導(dǎo)模式，已在多種制導(dǎo)武器中應(yīng)用。被動(dòng)紅外成像制導(dǎo)模式與毫米波制導(dǎo)等主動(dòng)制導(dǎo)模式、被動(dòng)紅外成像末制導(dǎo)模式與GPS等中段制導(dǎo)模式互為補(bǔ)充，將是復(fù)合/多模制導(dǎo)武器系統(tǒng)廣泛使用的一種制導(dǎo)模式。

（4）多用途：早期紅外成像制導(dǎo)技術(shù)大多圍繞某一戰(zhàn)術(shù)、戰(zhàn)略目標(biāo)而設(shè)計(jì)，功能、使命單一；未來(lái)成像制導(dǎo)導(dǎo)引頭將會(huì)肩負(fù)更多的使命，如中制導(dǎo)、末制導(dǎo)、偵察以及打擊效果評(píng)估等：導(dǎo)引頭的多用途還包括采用多色、多模復(fù)合制導(dǎo)技術(shù)實(shí)現(xiàn) ATR功能，提高導(dǎo)引頭的抗干擾能力以及導(dǎo)引頭的使用靈活性等。

2. 紅外成像制導(dǎo)產(chǎn)業(yè)鏈情況

紅外成像制導(dǎo)以紅外導(dǎo)引頭為產(chǎn)品形式，導(dǎo)引頭作為產(chǎn)品本身其產(chǎn)業(yè)鏈較短。不考慮基礎(chǔ)原材料，從紅外探測(cè)器芯片到完整的導(dǎo)彈導(dǎo)引頭，我國(guó)的情況主要可分為兩級(jí)或三級(jí)配套模式。一般兩級(jí)配套的模式為廠商直接提供紅外熱像儀至導(dǎo)彈總裝廠制成紅外導(dǎo)引頭；三級(jí)配套則屬于廠商A提供紅外探測(cè)器芯片、模組或機(jī)芯，由廠商B配合其鏡頭、算法等集成為紅外熱像儀再供應(yīng)至導(dǎo)引頭總體單位。

紅外熱像儀是紅外導(dǎo)引頭的核心器件，而紅外探測(cè)器則是紅外熱像儀的最核心器件。早期紅外探測(cè)器技術(shù)被美國(guó)、法國(guó)、日本等國(guó)家壟斷，國(guó)內(nèi)探測(cè)器全部依賴進(jìn)口。由于探測(cè)器成本占到了紅外熱像儀的60%，直接導(dǎo)致國(guó)產(chǎn)紅外熱像儀價(jià)格昂貴。2008年前后，我國(guó)陸續(xù)有企業(yè)走上紅外熱成像技術(shù)的自主研發(fā)之路，政府也通過(guò)各項(xiàng)政策和專項(xiàng)提供了良好的科研環(huán)境，從2015年起，我國(guó)已能夠自主生產(chǎn)紅外探測(cè)器、機(jī)芯等紅外熱像儀所需的全部關(guān)鍵零部件，目前我國(guó)紅外設(shè)備制造產(chǎn)業(yè)整體呈現(xiàn)出了軍工集團(tuán)、中科院系科研院所和少量?jī)?yōu)質(zhì)民營(yíng)企業(yè)三大體系并存的格局。

其中制冷型探測(cè)器主要生產(chǎn)廠商為兵器工業(yè)集團(tuán)211所，電子科技集團(tuán)11所和中科院上海技物所，三家也是國(guó)內(nèi)制冷型探測(cè)器的主要供應(yīng)商。

由于制冷型探測(cè)器的使用領(lǐng)域非常窄，大多數(shù)為高端軍用，因此目前國(guó)內(nèi)在制冷探測(cè)器的產(chǎn)能方面略有過(guò)剩。相較之下非制冷探測(cè)器由于兼具軍用和民用，而民用紅外設(shè)備正處于市場(chǎng)快速上升的時(shí)期，因此產(chǎn)能相對(duì)不足。

目前A股中主要有大立科技、高德紅外和睿創(chuàng)微納三家企業(yè)具備紅外探測(cè)器以及紅外熱成像儀的研制能力，三者主要為導(dǎo)彈總裝廠提供導(dǎo)引頭紅外熱像儀為主。三者的對(duì)比情況如下：

3. 風(fēng)險(xiǎn)提示

導(dǎo)彈研制進(jìn)展緩慢，軍品需求不及預(yù)期。

來(lái)源：機(jī)械軍工e洞察